下列关于超高频局部放电带电检测技术特点的表述，正确的是（）。

• A、要求被测设备具有观察窗或非金属屏蔽的部位
• B、超高频的下限频率在300MHz以上，因而可把电晕放电引起的干扰排除掉
• C、对导体毛刺放电、悬浮放电、内部放电均有效
• D、可以用于局部放电源定位