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关于RAS#Precharge描述正确的是()
A、列地址至行地址的延迟时间,简称RCD
B、行地址控制器延迟时间
C、列动态时间,也称tRAS,表示一个内存芯片上两个不同的列逐一寻址时所造成的延迟
D、列地址控制器预充电时间,简称tRP
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