《金太阳示范工程关键设备基本要求（2012年）》中规定，晶体硅组件全光照面积的光电转换效率（含组件边框面积）应（）。

• A、≥12.5%
• B、≥13.5%
• C、≥14.5%
• D、≥15.5%