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材料科学

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已知电子的有效质量me=9.1×10-31kg,空穴的有效质量mh=3.8×10-30kg,GaAs单量子阱厚度d=8nm,计算在第一个电子的子能带态(n=1)和在第一个空穴子能带态(n=1)的偏移。

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