多做题,通过考试没问题!
半导体芯片制造工
题库首页
>
通信电子计算机技能考试
>
半导体芯片制造工
哪种化学气体经常用来刻蚀多晶硅?描述刻蚀多晶硅的三个步骤。
查看答案
微信扫一扫手机做题
最新试题
·
例举离子注入工艺和扩散工艺相比的优点和缺
·
简述电子束光刻的光栅扫描方法和矢量扫描方
·
例举并描述薄膜生长的三个阶段。
·
为什么晶体管栅结构的形成是非常关键的工艺
·
简述硼和磷的退火特性。
·
简述RTP设备的工作原理,相对于传统高温
·
例举出7种先进封装技术。
·
给出使用初级泵和真空泵的理由。
·
离子注入后为什么要进行退火?
·
离子在靶内运动时,损失能量可分核阻滞和电
热门试题
·
热生长SiO
2
–
·
什么是掺杂?例举四种常用的掺杂杂质并说明
·
什么是离子注入的横向效应?同等能量注入时
·
杂质原子的扩散方式有哪几种?它们各自发生
·
什么叫集成电路?写出集成电路发展的五个时
·
解释什么是暗场掩模板?
·
例出光刻的8个步骤,并对每一步做出简要解
·
应力分为压应力和张应力,下图的形状是由于
·
光刻中采用步进扫描技术获得了什么好处?
·
描述在硅片厂中使用的去离子水的概念。