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集成电路制造工艺员

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晶硅栅极刻蚀最大的挑战就是对二氧化硅的高选择性。超薄的（）使得在刻蚀多晶硅电极时对它的刻蚀要尽可能的小。

  • A、n型掺杂区
  • B、P型掺杂区
  • C、栅氧化层
  • D、场氧化层
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