多做题,通过考试没问题!
半导体芯片制造工
题库首页
>
通信电子计算机技能考试
>
半导体芯片制造工
解释离子束扩展和空间电荷中和。
查看答案
微信扫一扫手机做题
最新试题
·
定义刻蚀速率并描述它的计算公式。为什么希
·
例举出7种先进封装技术。
·
例举出硅片厂中使用的五种通用气体。
·
什么是硅化物?难熔金属硅化物在硅片制造业
·
例举并描出旋转涂胶的4个基本步骤。
·
给出使用初级泵和真空泵的理由。
·
最通常的半导体材料是什么?该材料使用最普
·
例举淀积的5种主要技术。
·
什么是离子注入的横向效应?同等能量注入时
·
下图为一个典型的离子注入系统。(1)给出
热门试题
·
为什么要采用LDD工艺?它是如何减小沟道
·
说明水汽氧化的化学反应,水汽氧化与干氧氧
·
在MEMS加工中,为了精确控制腐蚀深度,
·
对于某种薄膜的CVD过程,淀积温度为90
·
例举并解释5个进行在线参数测试的理由。
·
简述APCVD、LPCVD、PECVD的
·
集成电路制造中有哪几种常见的扩散工艺?各
·
描述CVD反应中的8个步骤。
·
简述BOE(或BHF)刻蚀SiO
·
什么是离子分布的偏斜度和峭度,和标准高斯