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半导体芯片制造工
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半导体芯片制造工
采用CF
4
作为气体源对SiO
2
进行刻蚀，在进气中分别加入O
2
或H
2
对刻蚀速率有什么影响？随着O
2
或H
2
进气量的增加，对Si和SiO
2
刻蚀选择性怎样变化？为什么？
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