多做题,通过考试没问题!
半导体芯片制造工
题库首页
>
通信电子计算机技能考试
>
半导体芯片制造工
解释正性光刻和负性光刻的区别?为什么正胶是普遍使用的光刻胶?最常用的正胶是指哪些胶?
查看答案
微信扫一扫手机做题
最新试题
·
解释水的去离子化。在什么电阻率级别下水被
·
名词解释:CVD、LPCVD、PECVD
·
叙述氮化硅的湿法化学去除工艺。
·
例出典型的硅片湿法清洗顺序。
·
例举出传统装配的4个步骤。
·
例举并描述硅片拣选测试中的三种典型电学测
·
为什么要采用LDD工艺?它是如何减小沟道
·
什么是无源元件?例举出两个无源元件的例子
·
例举并描述6种不同的塑料封装形式。
·
常用溅射技术有哪几种,简述它们的工作原理
热门试题
·
例举并描述薄膜生长的三个阶段。
·
描述在硅片厂中使用的去离子水的概念。
·
什么是离子注入中常发生的沟道效应(Cha
·
例出光刻的8个步骤,并对每一步做出简要解
·
例举出两种光刻胶显影方法。例举出7种光刻
·
例举并讨论引入铜金属化的五大优点。
·
光刻中采用步进扫描技术获得了什么好处?
·
分别画出单大马士革和双大马士革工艺流程图
·
什么是CMOS技术?什么是 ASIC?
·
什么是薄膜?