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集成电路制造工艺员

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干氧氧化法具备以下一系列的优点（）。

  • A、生长的二氧化硅薄膜均匀性好
  • B、生长的二氧化硅干燥
  • C、生长的二氧化硅结构致密
  • D、生长的二氧化硅是很理想的钝化膜
  • E、生长的二氧化硅掩蔽能力强
正确答案:A,B,C,D,E
答案解析:有
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