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集成电路制造工艺员

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干氧氧化法有一些优点,但同时它的缺点有()。

  • A、生长出的二氧化硅中引入很多可动离子
  • B、氧化的速度慢
  • C、生长的二氧化硅缺陷多
  • D、生长的二氧化硅薄膜钝化效果差
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