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集成电路制造工艺员

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通常情况下，我们改变工艺条件使刻蚀进行中（）的刻蚀速率尽量低。

  • A、光刻胶
  • B、衬底
  • C、表面硅层
  • D、扩散区
  • E、源漏区
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