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集成电路制造工艺员

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单晶硅刻蚀一般采用（）做掩蔽层，以氟化氢为主要的刻蚀剂，氧气为侧壁钝化作用的媒介物。

  • A、氮化硅
  • B、二氧化硅
  • C、光刻胶
  • D、多晶硅
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