多做题，通过考试没问题！
半导体芯片制造工
题库首页
>
通信电子计算机技能考试
>
半导体芯片制造工
简述杂质在SiO
2
的存在形式及如何调节SiO
2
的物理性质。
查看答案
微信扫一扫手机做题
最新试题
·
什么是印刷电路板？
·
什么是离子注入的横向效应？同等能量注入时
·
给出投影掩模板的定义。投影掩模板和光掩模
·
例出典型的硅片湿法清洗顺序。
·
物理气相淀积最基本的两种方法是什么？简述
·
什么是多层金属化？它对芯片加工来说为什么
·
离子源的目的是什么？最常用的离子源是什么
·
写出IC制造的5个步骤。
·
简述BOE（或BHF）刻蚀SiO
·
例举并描述薄膜生长的三个阶段。
热门试题
·
给出半导体质量测量的定义。例出在集成电路
·
个投影曝光系统采用ArF光源，数值孔径为
·
简述杂质在SiO
2
·
下图为硅外延生长速度对H
2
·
什么是外延层？为什么硅片上要使用外延层？
·
假设进行一次受固溶度限制的预淀积扩散，从
·
什么是阻挡层金属？阻挡层材料的基本特征是
·
描述RF溅射系统。
·
什么是More moore定律和More
·
例举出两种光刻胶显影方法。例举出7种光刻
